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單端反激RCD吸收電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)淺談 發(fā)布時(shí)間:2020-02-17 閱讀人數(shù):

單端反激RCD吸收電路調(diào)試經(jīng)驗(yàn)淺談


單端反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是電源中使用最為廣泛的結(jié)構(gòu),尤其是在中小功率電源中,單端反激電源占有絕對(duì)支配地位。在單端反激電源中,通產(chǎn)加有RCD漏感能量吸收電路(RCD吸收電路)。RCD吸收電路起到的作用:1,可以減少漏感在主開關(guān)上(如MOS管)形成的電壓尖峰,保護(hù)主開關(guān)管,2,可以有效減少EMI干擾。對(duì)于1,只要開關(guān)管上的耐壓夠了,且有足夠的余量就行; 對(duì)于2,看設(shè)計(jì)需要了。  RCD吸收電路的計(jì)算和調(diào)試相比于單端反激變壓器的計(jì)算和調(diào)試要簡(jiǎn)單不少。

單端反擊RCD吸收電路

RCD吸收電路通常有兩種結(jié)構(gòu),如圖1和圖2所示,其中以第一種地電路結(jié)構(gòu)使用最為廣泛,從事自動(dòng)化模塊信號(hào)隔離器和隔離式安全柵研發(fā)多年,結(jié)合自己調(diào)試單端反激RCD吸收電路的親身經(jīng)歷,筆者從第一種RCD吸收電路結(jié)構(gòu)出發(fā),重點(diǎn)說(shuō)明RCD電路參數(shù)的選擇對(duì)電路的暫態(tài)響應(yīng)的影響,希望能給初學(xué)單端反激和RCD吸收的朋友一些啟示。

RCD吸收電路第一種

 圖1   單端反激RCD吸收電路第一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)                                        



RCD吸收電路第二種

圖2  單端反激RCD吸收電路第二種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)


1.RCD電容C偏大

電容端電壓上升很慢,因此導(dǎo)致mos 管電壓上升較慢,導(dǎo)致mos管關(guān)斷至次級(jí)導(dǎo)通的間隔時(shí)間過(guò)長(zhǎng),變壓器能量傳遞過(guò)程較慢,相當(dāng)一部分初級(jí)勵(lì)磁電感能量消耗在RC電路上 。

2.RCD電容C特別大(導(dǎo)致電壓無(wú)法上升至次級(jí)反射電壓)

電容電壓很小,電壓峰值小于次級(jí)的反射電壓,因此次級(jí)不能導(dǎo)通,導(dǎo)致初級(jí)能量全部消耗在RCD電路中的電阻上,因此次級(jí)電壓下降后達(dá)成新的平衡,理論計(jì)算無(wú)效了,輸出電壓降低。

3.RCD電阻電容乘積R×C偏小

電壓上沖后,電容上儲(chǔ)存的能量很小,因此電壓很快下降至次級(jí)反射電壓,電阻將消耗初級(jí)勵(lì)磁電感能量,直至mos管開通后,電阻才緩慢釋放電容能量,由于RC較小,因此可能出現(xiàn)震蕩,就像沒(méi)有加RCD電路一樣。

4.RCD電阻電容乘積R×C合理,C偏小

如果參數(shù)選擇合理,mos管開通前,電容上的電壓接近次級(jí)反射電壓,此時(shí)電容能量泄放完畢,缺點(diǎn)是此時(shí)電壓尖峰比較高,電容和mos管應(yīng)力都很大。

5.RCD電阻電容乘積R×C合理,R,C都合適

在上面的情況下,加大電容,可以降低電壓峰值,調(diào)節(jié)電阻后,使mos管開通之前,電容始終在釋放能量,與上面的最大不同,還是在于讓電容始終存有一定的能量。


在第二種RCD吸收電路中,D與R并聯(lián)再與C串聯(lián),C的一端鏈接MOS管的漏極,R和D的一端連接外部輸入電源正端。二極管D的作用是加速吸收,當(dāng)MOS管關(guān)斷的時(shí)候,尖峰能量被C通過(guò)D吸收,而不通過(guò)R阻尼,這樣的話,相當(dāng)于減小了時(shí)間常數(shù),吸收速度可以更快,從而有效限制脈沖尖峰的幅值,當(dāng)然,這個(gè)D也可以不要,而當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí),C通過(guò)MOS管以及R放電。

第一種RCD吸收電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和第二種RCD吸收電路結(jié)構(gòu)的共同點(diǎn):目的相同,都是限制尖峰脈沖,進(jìn)而保護(hù)主開關(guān)管以及蓋上點(diǎn)路的EMC性能。思路略有不同,第一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)R的取值不能太小,因?yàn)镽是死負(fù)載,始終消耗能量,R并不直接影響脈沖幅度(僅僅C的大小直接影響尖峰的幅值);第二種結(jié)構(gòu),R的取值不能大,應(yīng)該比較小,如果R取值偏大,RC時(shí)間常數(shù)變大,脈沖上升和下降沿會(huì)變得緩慢,雖然有效限制了脈沖尖峰,但是電源效率將會(huì)降低不少。


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